NR252012 시리즈는 NR 자기-수지 차폐 라인의 초소형 초-낮은-높이 SMD 전력 인덕터입니다. 극도의 공간 효율성을 위해 설계되었으며, 2.7mm × 2.35mm의 작은 설치 공간과 1.2mm의 초박형 최대 높이를 자랑합니다.

이 시리즈는 초저소음용 자기-수지 차폐 구조를 사용하여 모바일 기기의 '윙윙거리는' 소음을 제거하도록 특별히 설계되었습니다.- 폐쇄형 자기 회로 설계로 EMI도 감소합니다. 최대 3.28A의 포화 전류(Isat)를 제공하는 이 인덕터는 고밀도-, 잡음에 민감한-휴대용 애플리케이션을 위한 이상적인 로우 프로파일 인덕터 솔루션입니다. NR252012는 대량 애플리케이션용 smd 인덕터 가격 측면에서 매우 경쟁력이 있습니다.

주요 특징

소형 설치 공간:2.7mm × 2.35mm.

매우-낮은 프로필:최대 높이는 1.2mm입니다.

매우-낮은 버즈 소음:자기-수지 차폐 구조.

낮은 EMI:폐쇄형 자기 회로 설계로 누설 자속이 감소합니다.

높은 신뢰성:우수한 충격 저항성을 위해 페라이트 코어를 금속화했습니다.

절전:PCB 공간을 덜 차지하고 전력을 더 많이 절약합니다.

RoHS 준수.

응용

NR252012의 소형 저잡음 설계는 다음과 같은 용도에 완벽한 SMD 전력 인덕터입니다.

다기능을 갖춘 차세대-모바일 기기(예: 모바일 TV)

휴대용 게임 장치

개인용 멀티미디어 장치

개인 내비게이션 시스템

고밀도-DC-DC 변환기

전기적 특성

부품 번호	인덕턴스(L)(μH)	테스트 조건	DCR(mΩ)(±30%)	SRF(MHz) 최소	포화 전류(Isat)(A)	가열 정격 전류(Idc)(A)
NR252012-R68N	0.68 ± 30%	1MHz, 0.25V	57	140	3.28	1.95
NR252012-1R0N	1.0 ± 30%	1MHz, 0.25V	70	110	2.59	1.93
NR252012-1R5M	1.5 ± 20%	1MHz, 0.25V	113	97	2.24	1.40
NR252012-2R2M	2.2 ± 20%	1MHz, 0.25V	167	69	1.85	1.15
NR252012-3R3M	3.3 ± 20%	1MHz, 0.25V	203	62	1.61	1.04
NR252012-4R7M	4.7 ± 20%	1MHz, 0.25V	291	69	1.12	0.84
NR252012-5R6M	5.6 ± 20%	1MHz, 0.25V	414	38	1.11	0.73
NR252012-6R8M	6.8 ± 20%	1MHz, 0.25V	447	38	0.98	0.69
NR252012-8R2M	8.2 ± 20%	1MHz, 0.25V	507	36	0.98	0.65
NR252012-100M	10 ± 20%	1MHz, 0.25V	531	34	0.79	0.62
NR252012-150M	15 ± 20%	1MHz, 0.25V	1224	25	0.68	0.42
NR252012-220M	22 ± 20%	1MHz, 0.25V	1520	20	0.53	0.38